东微半导建立于2008年9月，是一家手艺驱动型的半导体器件手艺和产物研发商，是海内少数具有从专利到量产完好经历的高机能功率器件设想公司之一，并在使用于产业级范畴的高压超等结和中高压功率器件产物范畴完成了国产化替换

　　东微半导建立于2008年9月，是一家手艺驱动型的半导体器件手艺和产物研发商，是海内少数具有从专利到量产完好经历的高机能功率器件设想公司之一，并在使用于产业级范畴的高压超等结和中高压功率器件产物范畴完成了国产化替换。

　　自建立以来，东微半导连续获批多项省市科技方案项目，共得到下级和本级科技经费上万万元；会聚高条理科技立异人材，东微半导体董事长、总司理龚轶于2013年被认定为“苏州立异创业领甲士材”，公司手艺总监王鹏飞于2008年被认定为“园区科技领甲士材”。

　　凭仗多年的手艺立异积聚立异技法包罗 方面，东微半导具有多项半导体器件中心专利立异技法包罗 方面。停止2021年6月，已获受权的专利53项，包罗境内专利38项，此中创造专利37项、适用新型专利1项，和境外专利15项，并胜利入围“2020年姑苏市企业常识产权登峰动作方案”项目施行企业。

　　此次刊行上市，东微半导召募资金将次要用于超等结与屏障栅功率器件产物晋级及财产化、新构造功率器件研发及财产化、研发工程中间建立等多个项目，还将作为科技与开展储蓄资金。

　　今朝，公司产物普遍使用于以新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通讯电源、数据中间效劳器电源和产业照明电源为代表的产业级使用范畴，和以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消耗电子使用范畴立异技法包罗 方面。同时，公司不竭停止手艺立异，进一步开辟了超等硅MOSFET、TGBT等新产物。

　　东微半导的次要产物包罗GreenMOS系列高压超等结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中高压屏障栅MOSFET，可以使用于电源体系立异功效100字、存储器等相干范畴，同时公司为用户供给相干产物效劳与手艺撑持。

　　东微半导的两位结合开创人王鹏飞和龚轶两人均曾在外洋留学，并就任于AMD、英飞凌等国际芯片巨子。王鹏飞为德国慕尼黑产业大学博士，曾在英飞凌存储器研发中间担当研发工程师，2006年5月担当奇梦达手艺立异和集成部分研发工程师。

　　比拟海内内行业龙头，东微半导运营范围较小，在研发投入和职员数目上都存在不敷。本次上市后，东微半导或将补偿这一缺点，增强研发投入和运营范围上，扩展国产功率半导体的市场份额。

　　（以下简称“东微半导”） 昨日（2月10日）在科创板挂牌上市，刊行1684万股，刊行价130元，召募资金21.90亿元。

　　自公司创立以来，东微半导已得到多轮融资，投资者包罗元禾本钱、国中创投、复兴创投、中芯聚源立异功效100字、华为哈勃投资等行业出名投资机构。

　　2009年6月立异功效100字，王鹏飞成为复旦大学微电子学院传授立异技法包罗 方面，并于2013年研制出环球首个半浮栅晶体管（SFGT立异技法包罗 方面，Semi-FloatingGate Transistor），文章揭晓在顶级学术期刊Science上，这是我国微电子范畴研讨初次登上Science，消息联播和群众日报立异功效100字、青年报等都对此有所报导。2021年4月至今，王鹏飞任东微半导首席手艺官。

　　龚轶则为英国纽卡斯尔大学硕士立异技法包罗 方面，曾前后在AMD、英飞凌任工程师和手艺专家；2020年11月至今，龚轶任东微半导董事长兼总司理。

　　2016年4月，东微半导自立研发的650V、80A快规复GreenMOS产物完成量产，并进入直流充电桩范畴，突破了这一范畴外洋厂商的把持。